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晶化快速退火炉 嘉仪通 新型半导体晶化退火设备

晶化快速退火炉 嘉仪通 新型半导体晶化退火设备

晶化快速退火炉嘉仪通新型半导体晶化退火设备采用红外辐射加热技术,可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温,同时搭配***精度温度控制系统,可达到***的温场均匀性,对薄膜材料进行晶化快速退火处理,提高薄膜材料的均匀性及稳定性。

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  • 快速退火炉,液氮低温恒温器,RTP快速退火炉,真空快速退火炉

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    湖北 武汉 江夏区 武汉市东湖开发区高新大道999号未来科技城C4栋11层
是否进口:否产地:湖北武汉加工定制:否
品牌:嘉仪通型号:RTP-3-01

晶化快速退火炉 嘉仪通 新型半导体晶化退火设备详细介绍

晶化快速退火炉 嘉仪通 新型半导体晶化退火设备采用红外辐射加热技术,可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温,同时搭配***精度温度控制系统,可达到***的温场均匀性,对薄膜材料进行晶化快速退火处理,提高薄膜材料的均匀性及稳定性。

 

晶化快速退火炉产品特点:

快速加热和降温: 可控升温速率可达50 ℃/s,特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率,特定条件下可达30 ℃/s。

 ***控温: 采用工业级温控器进行PID***控温,目标温度与设定温度曲线一致性高,可实现室温至1200 ℃的温度***控制。

 适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理(氮气、氩气等)。同时,通过选配真空泵,可以在真空条件下进行退火,真空度可达10-3Pa。

 配备观察窗口: 通过观察窗口,可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时,可以结合相关测试方法进行原位测试分析。

 ***安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统,全方位保障仪器使用安全。

 国产退火炉:拥有自主研发技术和制造能力,能快速反应客户售后需求。

 

晶化快速退火炉技术参数:

 

型号

RTP-3-01系列

温度

1200℃

升温速率

50℃/s

温度均匀性

≦1%设定温度

温度控制

选用工业级温控器,控温精度±0.1℃

温度传感器

标准K型热电偶

降温速率

1200℃→400℃,200℃/min

400℃→100℃,20℃/min

(自然冷却)

样品尺寸

W20 x L20 x T2 (mm)

主机尺寸

W420X L320X H220 (mm)

主机重量

20.5kg

 

晶化快速退火炉 嘉仪通 新型半导体晶化退火设备客户案例:

 

清华大学使用嘉仪通1吋晶化快速退火炉给HfO2薄膜做晶化退火,得到晶相一致晶粒较小的晶体,提高薄膜材料的均匀性及稳定性。

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